3 月 14 日，英飞凌发布公告称，其通过子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc）及其附属公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。
英飞凌正在寻求yong久禁令，以防止侵犯英飞凌拥有的与氮化镓 (GaN) 技术相关的美国zhuan利。该zhuan利权利要求涵盖了GaN功率半导体的he心方面，其中包括可实现英飞凌专有 GaN 器件可靠性和性能的创新。该诉讼已向加利福尼亚州北区地方法院提起。
“氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺”，英飞凌功率与传感器系统部总裁 Adam White 说道。“凭借近二十年的 GaN 经验，英飞凌可以保证相应终端产品实现zui高性能所需的卓越品质。我们大力保护我们的知识产权，从而为所有客户和zui终用户的利益行事。” 数十年来，英飞凌一直投资于与 GaN 技术相关的研发、产品开发和制造zhuan业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。”
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是zui具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。
2023年5月，美国宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corp）向加州中区联邦地区法院和美国国际贸易委员会（ITC）提起诉讼，指控英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下简称“英诺赛科”）侵犯了宜普zhuan利组合中的四项zhuan利。
四项zhuan利涉及宜普du家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的he心环节。宜普要求获得损害赔偿并对英诺赛科下达禁令。
据悉，英诺赛科成立于2015年12月，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有quan球zui大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-700V）的氮化镓功率器件。